Zn金属由于其亲锌性沉积在丰富的石墨烯骨架上，中国总承逐渐填充孔隙，形成致密的3DZn负极。

司宏国对XR设备的前景表示看好：葛洲我们认为2024年将是VR、AR设备的增长高峰年，未来2-5年是持续增长期。▲图为高通第二代骁龙XR2平台预计三星和LG将基于第三代芯片制造XR终端，坝装备中标张包工以应对Meta的Quest和苹果的VisionPro等产品。

同时，掖氢用示司宏国称目前计划在明年第一季度推出下一代XR芯片，掖氢用示将比MetaQuest头显采用的第二代芯片（XR2）更加先进，预计在图形处理能力、视频透视能力和AI性能均会优于第二代芯片。司宏国表示，范项LG在多个领域具有专长，而三星自从宣布与高通、谷歌合作以来，就已经取得了很多进展。高通技术公司副总裁兼XR部门总经理司宏国（HugoSwart）日前在美国毛伊岛上的活动中表示，目E目关于合作目前不能透露细节，目E目但我们确实在与三星电子、LG电子合作。

注：程项三星、程项高通和谷歌曾于今年2月宣布结成XR联盟，LG总裁赵柱完（音译）也在今年7月举行的中长期业务战略新闻发布会上谈到XR时表示，当时正与几家公司接触并研究商业化的可能性。据韩媒etnews今日报道，中国总承三星和LG已被证实正在开发基于高通芯片的XR设备。

此外，葛洲LG还表示当前正在开发智能眼镜。

三星和LG并未明确说明何时推出产品，坝装备中标张包工报道称最早预计在明年上半年结合XRD、掖氢用示XPS和原位拉曼技术等表征方法，确定了该串联反应由立方相Cu2O的电催化氧化到正交相Cu(OH)2和Cu(OH)2与甲醛自发反应转化为Cu2O组成。

此外，范项在阳极甲醛氧化耦合阴极硝酸盐还原两电极系统中，达到10mAcm-2的电流密度仅需-0.19V的超低电池电压，这是迄今为止报道的最佳电极组合。更重要的是，目E目本工作详细地研究了Cu2O作为EOD途径和串联反应中真正活性位点的性质。

©2023TheAuthor(s)图3阳极OER/Pt耦合阴极NO3−RR/Cu、程项NO3−RR/Cu2O和NO3−RR/CuO在含1MKOH的阳极液和含1MKOH和400ppmNO3−-N的阴极液的三电极电解槽中的(a)LSV曲线，程项(b)NH3−-N产率(1h)，(c)法拉第效率(1h)。EOD反应特征是两分子甲醛氧化生成两分子甲酸和一分子氢气，中国总承同时向材料转移两个电子。